沈波，男，1963年7月生，江苏扬州市人，北京大学物理学院教授，博士生导师、国家杰出青年基金获得者、国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员。1985年毕业于南京大学物理系，获学士学位，1988年毕业于中国科技大学物理系，获硕士学位，1995年毕业于日本东北大学材料科学研究所(IMR)，获博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所(IIS)客座研究员，东京大学先端科技研究中心(RCAST)、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授，日本产业技术综合研究所(AIST) JSPS访问教授。
1995年迄今一直从事III族氮化物 (又称GaN基) 宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在AlGaN/GaN异质结构MOCVD外延生长和缺陷控制，强极化、高能带阶跃氮化物半导体体系中载流子输运规律，GaN基功率电子器件和紫外光电探测器件研制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展；近年来带领其课题组在AlInN/GaN晶格匹配异质结构MOCVD外延生长和物性研究，AlGaN基量子阱子带结构材料和器件，InGaN基材料MBE外延生长和p型掺杂等方面取得一系列进展，在国际同行中产生了一定影响。先后主持和作为核心成员参加国家973计划项目，国家863计划项目，国家自然科学基金重大、重点项目，教育部、北京市重点项目，以及军口项目等20多项科研课题，发表SCI收录论文160多篇，论文被引用超过1400次，先后在国际学术会议上做邀请报告10多次，获国际学术会议“最佳论文奖”2次和全国学术会议“优秀论文奖”4次，获得/申请国家发明专利18件，多次担任国际学术会议程序委员会、组织委员会委员和分会主席，担任国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室的学术委员会委员，先后获国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。
已担任《电磁学》主讲教师近20年，并先后承担过《半导体物理》、《半导体材料》、《大学物理实验》、《近代物理实验》、《半导体专门化实验》等课程。
